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MMBT5401LT1中文资料

MMBT5401LT1图片

MMBT5401LT1外观图

  • 大小：164.83KB
  • 厂家：MOTOROLA [Motorola, Inc]
  • 描述：High Voltage Transistor
  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：MMBT5401LT1OSCT

MMBT5401LT1供应商

更新时间:2023-01-11 04:17:19
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
下一页
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 上海包恰科技有限公司

  • MMBT5401LT1G

  • 优势

  • 1020000

  • ON SEMICONDUCTOR

  • Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3Pin SOT23 T//23+

  • 原装，假一罚十

IC热门型号推荐优势：品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验
MDD3752RHMP9415EN-LF-ZM29W160EB-70N6MT8816AEMMSZ4679T1GMT29F2G08ABAEAWP:EMP1009BES-LF-ZM24C16-RMN6TPMAX3223CDBRMA2SD1900L

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